在半導體制造的光刻（Photolithography）工藝中，紫外線（UV）光源的穩定性直接影響晶圓曝光精度。光源強度波動可能導致線寬偏差（CD Variation）、圖案失真，甚至批次報廢。住田光學的UV-300K紫外線傳感器通過實時監測UV光強，成為保障曝光工藝穩定的“隱形防線"。
半導體光刻常用365nm（i-line）紫外線，UV-300K的高靈敏度探頭（0.3~90 mW/cm2）可實時檢測該波段光強，誤差≤±2% FS，確保曝光能量一致性。
現代光刻機需高頻曝光，UV-300K的毫秒級響應速度能同步反饋光強變化，避免因延遲導致曝光不均。
模擬輸出（4~20mA/1~5V）直接連接光刻機控制系統，動態調節UV燈功率。
NPN集電極開路信號可觸發報警，在光強異常時自動暫停工藝。
問題：某晶圓廠發現曝光線寬隨生產批次逐漸偏移。
解決方案：UV-300K監測到365nm光強下降5%，系統自動補償光源功率，線寬偏差恢復至±1nm以內。
問題：夏季車間升溫導致UV燈效率波動。
解決方案：UV-300K耐高溫版本（-40°C~+300°C）實時校正光強，曝光均勻性提升20%。
問題：不同光刻機曝光能量存在差異。
解決方案：通過UV-300K的示教功能統一校準各機臺靈敏度，確保跨設備工藝一致性。
| 對比項 | 傳統傳感器 | UV-300K |
|---|---|---|
| 波長適配性 | 僅支持單一波長 | 254nm/365nm雙波段覆蓋 |
| 穩定性 | 易受溫度干擾 | 全量程±2%精度，耐高溫設計 |
| 集成便利性 | 需額外信號轉換模塊 | 直接輸出工業標準信號（4~20mA） |
在半導體制造邁向更小制程（如3nm/2nm）的背景下，UV-300K通過高精度監測+實時反饋，成為曝光工藝穩定的關鍵保障。其價值不僅在于故障預防，更在于推動工藝控制的數字化升級。
